IRF7706GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7706GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.51W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2211pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27178 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7706GTRPBF
IRF7706GTRPBF Elektronické komponenty
IRF7706GTRPBF Odbyt
IRF7706GTRPBF Dodavatel
IRF7706GTRPBF Distributor
IRF7706GTRPBF Datová tabulka
IRF7706GTRPBF Fotky
IRF7706GTRPBF Cena
IRF7706GTRPBF Nabídka
IRF7706GTRPBF Nejnižší cena
IRF7706GTRPBF Vyhledávání
IRF7706GTRPBF Nákup
IRF7706GTRPBF Chip