Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7702TR
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7702TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3470pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8823 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7702TR
IRF7702TR Elektronické komponenty
IRF7702TR Odbyt
IRF7702TR Dodavatel
IRF7702TR Distributor
IRF7702TR Datová tabulka
IRF7702TR Fotky
IRF7702TR Cena
IRF7702TR Nabídka
IRF7702TR Nejnižší cena
IRF7702TR Vyhledávání
IRF7702TR Nákup
IRF7702TR Chip