IRF7702GTRPBF
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7702GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3470pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9617 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7702GTRPBF
IRF7702GTRPBF Elektronické komponenty
IRF7702GTRPBF Odbyt
IRF7702GTRPBF Dodavatel
IRF7702GTRPBF Distributor
IRF7702GTRPBF Datová tabulka
IRF7702GTRPBF Fotky
IRF7702GTRPBF Cena
IRF7702GTRPBF Nabídka
IRF7702GTRPBF Nejnižší cena
IRF7702GTRPBF Vyhledávání
IRF7702GTRPBF Nákup
IRF7702GTRPBF Chip