Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7702
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7702
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3470pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18073 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7702
IRF7702 Elektronické komponenty
IRF7702 Odbyt
IRF7702 Dodavatel
IRF7702 Distributor
IRF7702 Datová tabulka
IRF7702 Fotky
IRF7702 Cena
IRF7702 Nabídka
IRF7702 Nejnižší cena
IRF7702 Vyhledávání
IRF7702 Nákup
IRF7702 Chip