Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7701TR
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7701TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8447 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7701TR
IRF7701TR Elektronické komponenty
IRF7701TR Odbyt
IRF7701TR Dodavatel
IRF7701TR Distributor
IRF7701TR Datová tabulka
IRF7701TR Fotky
IRF7701TR Cena
IRF7701TR Nabídka
IRF7701TR Nejnižší cena
IRF7701TR Vyhledávání
IRF7701TR Nákup
IRF7701TR Chip