IRF7701GTRPBF
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7701GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51027 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7701GTRPBF
IRF7701GTRPBF Elektronické komponenty
IRF7701GTRPBF Odbyt
IRF7701GTRPBF Dodavatel
IRF7701GTRPBF Distributor
IRF7701GTRPBF Datová tabulka
IRF7701GTRPBF Fotky
IRF7701GTRPBF Cena
IRF7701GTRPBF Nabídka
IRF7701GTRPBF Nejnižší cena
IRF7701GTRPBF Vyhledávání
IRF7701GTRPBF Nákup
IRF7701GTRPBF Chip