IRF7665S2TRPBF
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
Číslo dílu
IRF7665S2TRPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SB
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET SB
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
515pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5564 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7665S2TRPBF
IRF7665S2TRPBF Elektronické komponenty
IRF7665S2TRPBF Odbyt
IRF7665S2TRPBF Dodavatel
IRF7665S2TRPBF Distributor
IRF7665S2TRPBF Datová tabulka
IRF7665S2TRPBF Fotky
IRF7665S2TRPBF Cena
IRF7665S2TRPBF Nabídka
IRF7665S2TRPBF Nejnižší cena
IRF7665S2TRPBF Vyhledávání
IRF7665S2TRPBF Nákup
IRF7665S2TRPBF Chip