IRF7663TR
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Číslo dílu
IRF7663TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
Micro8™
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2520pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21962 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7663TR
IRF7663TR Elektronické komponenty
IRF7663TR Odbyt
IRF7663TR Dodavatel
IRF7663TR Distributor
IRF7663TR Datová tabulka
IRF7663TR Fotky
IRF7663TR Cena
IRF7663TR Nabídka
IRF7663TR Nejnižší cena
IRF7663TR Vyhledávání
IRF7663TR Nákup
IRF7663TR Chip