IRF7606TR
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Číslo dílu
IRF7606TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
Micro8™
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41752 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7606TR
IRF7606TR Elektronické komponenty
IRF7606TR Odbyt
IRF7606TR Dodavatel
IRF7606TR Distributor
IRF7606TR Datová tabulka
IRF7606TR Fotky
IRF7606TR Cena
IRF7606TR Nabídka
IRF7606TR Nejnižší cena
IRF7606TR Vyhledávání
IRF7606TR Nákup
IRF7606TR Chip