IRF7601TRPBF
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Číslo dílu
IRF7601TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
Micro8™
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32436 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7601TRPBF
IRF7601TRPBF Elektronické komponenty
IRF7601TRPBF Odbyt
IRF7601TRPBF Dodavatel
IRF7601TRPBF Distributor
IRF7601TRPBF Datová tabulka
IRF7601TRPBF Fotky
IRF7601TRPBF Cena
IRF7601TRPBF Nabídka
IRF7601TRPBF Nejnižší cena
IRF7601TRPBF Vyhledávání
IRF7601TRPBF Nákup
IRF7601TRPBF Chip