Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7601TR
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Číslo dílu
IRF7601TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
Micro8™
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48678 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7601TR
IRF7601TR Elektronické komponenty
IRF7601TR Odbyt
IRF7601TR Dodavatel
IRF7601TR Distributor
IRF7601TR Datová tabulka
IRF7601TR Fotky
IRF7601TR Cena
IRF7601TR Nabídka
IRF7601TR Nejnižší cena
IRF7601TR Vyhledávání
IRF7601TR Nákup
IRF7601TR Chip