Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7601PBF
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
Číslo dílu
IRF7601PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
Micro8™
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36708 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7601PBF
IRF7601PBF Elektronické komponenty
IRF7601PBF Odbyt
IRF7601PBF Dodavatel
IRF7601PBF Distributor
IRF7601PBF Datová tabulka
IRF7601PBF Fotky
IRF7601PBF Cena
IRF7601PBF Nabídka
IRF7601PBF Nejnižší cena
IRF7601PBF Vyhledávání
IRF7601PBF Nákup
IRF7601PBF Chip