Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7494PBF
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7494PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
44 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1783pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35201 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7494PBF
IRF7494PBF Elektronické komponenty
IRF7494PBF Odbyt
IRF7494PBF Dodavatel
IRF7494PBF Distributor
IRF7494PBF Datová tabulka
IRF7494PBF Fotky
IRF7494PBF Cena
IRF7494PBF Nabídka
IRF7494PBF Nejnižší cena
IRF7494PBF Vyhledávání
IRF7494PBF Nákup
IRF7494PBF Chip