Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7493PBF
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7493PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52794 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7493PBF
IRF7493PBF Elektronické komponenty
IRF7493PBF Odbyt
IRF7493PBF Dodavatel
IRF7493PBF Distributor
IRF7493PBF Datová tabulka
IRF7493PBF Fotky
IRF7493PBF Cena
IRF7493PBF Nabídka
IRF7493PBF Nejnižší cena
IRF7493PBF Vyhledávání
IRF7493PBF Nákup
IRF7493PBF Chip