Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7478QTRPBF
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7478QTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25979 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7478QTRPBF
IRF7478QTRPBF Elektronické komponenty
IRF7478QTRPBF Odbyt
IRF7478QTRPBF Dodavatel
IRF7478QTRPBF Distributor
IRF7478QTRPBF Datová tabulka
IRF7478QTRPBF Fotky
IRF7478QTRPBF Cena
IRF7478QTRPBF Nabídka
IRF7478QTRPBF Nejnižší cena
IRF7478QTRPBF Vyhledávání
IRF7478QTRPBF Nákup
IRF7478QTRPBF Chip