Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7478PBF
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7478PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12867 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7478PBF
IRF7478PBF Elektronické komponenty
IRF7478PBF Odbyt
IRF7478PBF Dodavatel
IRF7478PBF Distributor
IRF7478PBF Datová tabulka
IRF7478PBF Fotky
IRF7478PBF Cena
IRF7478PBF Nabídka
IRF7478PBF Nejnižší cena
IRF7478PBF Vyhledávání
IRF7478PBF Nákup
IRF7478PBF Chip