IRF7476TRPBF
MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7476TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2550pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22441 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7476TRPBF
IRF7476TRPBF Elektronické komponenty
IRF7476TRPBF Odbyt
IRF7476TRPBF Dodavatel
IRF7476TRPBF Distributor
IRF7476TRPBF Datová tabulka
IRF7476TRPBF Fotky
IRF7476TRPBF Cena
IRF7476TRPBF Nabídka
IRF7476TRPBF Nejnižší cena
IRF7476TRPBF Vyhledávání
IRF7476TRPBF Nákup
IRF7476TRPBF Chip