Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7475PBF
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7475PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1590pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47240 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7475PBF
IRF7475PBF Elektronické komponenty
IRF7475PBF Odbyt
IRF7475PBF Dodavatel
IRF7475PBF Distributor
IRF7475PBF Datová tabulka
IRF7475PBF Fotky
IRF7475PBF Cena
IRF7475PBF Nabídka
IRF7475PBF Nejnižší cena
IRF7475PBF Vyhledávání
IRF7475PBF Nákup
IRF7475PBF Chip