IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7473TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45719 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7473TRPBF
IRF7473TRPBF Elektronické komponenty
IRF7473TRPBF Odbyt
IRF7473TRPBF Dodavatel
IRF7473TRPBF Distributor
IRF7473TRPBF Datová tabulka
IRF7473TRPBF Fotky
IRF7473TRPBF Cena
IRF7473TRPBF Nabídka
IRF7473TRPBF Nejnižší cena
IRF7473TRPBF Vyhledávání
IRF7473TRPBF Nákup
IRF7473TRPBF Chip