IRF7470TRPBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7470TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3430pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38520 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7470TRPBF
IRF7470TRPBF Elektronické komponenty
IRF7470TRPBF Odbyt
IRF7470TRPBF Dodavatel
IRF7470TRPBF Distributor
IRF7470TRPBF Datová tabulka
IRF7470TRPBF Fotky
IRF7470TRPBF Cena
IRF7470TRPBF Nabídka
IRF7470TRPBF Nejnižší cena
IRF7470TRPBF Vyhledávání
IRF7470TRPBF Nákup
IRF7470TRPBF Chip