Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7469PBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7469PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13670 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7469PBF
IRF7469PBF Elektronické komponenty
IRF7469PBF Odbyt
IRF7469PBF Dodavatel
IRF7469PBF Distributor
IRF7469PBF Datová tabulka
IRF7469PBF Fotky
IRF7469PBF Cena
IRF7469PBF Nabídka
IRF7469PBF Nejnižší cena
IRF7469PBF Vyhledávání
IRF7469PBF Nákup
IRF7469PBF Chip