Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7468PBF
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7468PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.5 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2460pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27326 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7468PBF
IRF7468PBF Elektronické komponenty
IRF7468PBF Odbyt
IRF7468PBF Dodavatel
IRF7468PBF Distributor
IRF7468PBF Datová tabulka
IRF7468PBF Fotky
IRF7468PBF Cena
IRF7468PBF Nabídka
IRF7468PBF Nejnižší cena
IRF7468PBF Vyhledávání
IRF7468PBF Nákup
IRF7468PBF Chip