Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7467PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7467PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2530pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27071 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7467PBF
IRF7467PBF Elektronické komponenty
IRF7467PBF Odbyt
IRF7467PBF Dodavatel
IRF7467PBF Distributor
IRF7467PBF Datová tabulka
IRF7467PBF Fotky
IRF7467PBF Cena
IRF7467PBF Nabídka
IRF7467PBF Nejnižší cena
IRF7467PBF Vyhledávání
IRF7467PBF Nákup
IRF7467PBF Chip