Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7466PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7466PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.5 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39837 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7466PBF
IRF7466PBF Elektronické komponenty
IRF7466PBF Odbyt
IRF7466PBF Dodavatel
IRF7466PBF Distributor
IRF7466PBF Datová tabulka
IRF7466PBF Fotky
IRF7466PBF Cena
IRF7466PBF Nabídka
IRF7466PBF Nejnižší cena
IRF7466PBF Vyhledávání
IRF7466PBF Nákup
IRF7466PBF Chip