IRF7465TRPBF
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
Číslo dílu
IRF7465TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37748 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF Elektronické komponenty
IRF7465TRPBF Odbyt
IRF7465TRPBF Dodavatel
IRF7465TRPBF Distributor
IRF7465TRPBF Datová tabulka
IRF7465TRPBF Fotky
IRF7465TRPBF Cena
IRF7465TRPBF Nabídka
IRF7465TRPBF Nejnižší cena
IRF7465TRPBF Vyhledávání
IRF7465TRPBF Nákup
IRF7465TRPBF Chip