IRF7464TRPBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7464TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
730 mOhm @ 720mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45064 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7464TRPBF
IRF7464TRPBF Elektronické komponenty
IRF7464TRPBF Odbyt
IRF7464TRPBF Dodavatel
IRF7464TRPBF Distributor
IRF7464TRPBF Datová tabulka
IRF7464TRPBF Fotky
IRF7464TRPBF Cena
IRF7464TRPBF Nabídka
IRF7464TRPBF Nejnižší cena
IRF7464TRPBF Vyhledávání
IRF7464TRPBF Nákup
IRF7464TRPBF Chip