Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7459PBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7459PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2480pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36078 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7459PBF
IRF7459PBF Elektronické komponenty
IRF7459PBF Odbyt
IRF7459PBF Dodavatel
IRF7459PBF Distributor
IRF7459PBF Datová tabulka
IRF7459PBF Fotky
IRF7459PBF Cena
IRF7459PBF Nabídka
IRF7459PBF Nejnižší cena
IRF7459PBF Vyhledávání
IRF7459PBF Nákup
IRF7459PBF Chip