Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7453PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7453PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51222 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7453PBF
IRF7453PBF Elektronické komponenty
IRF7453PBF Odbyt
IRF7453PBF Dodavatel
IRF7453PBF Distributor
IRF7453PBF Datová tabulka
IRF7453PBF Fotky
IRF7453PBF Cena
IRF7453PBF Nabídka
IRF7453PBF Nejnižší cena
IRF7453PBF Vyhledávání
IRF7453PBF Nákup
IRF7453PBF Chip