IRF7452TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7452TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24361 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7452TRPBF
IRF7452TRPBF Elektronické komponenty
IRF7452TRPBF Odbyt
IRF7452TRPBF Dodavatel
IRF7452TRPBF Distributor
IRF7452TRPBF Datová tabulka
IRF7452TRPBF Fotky
IRF7452TRPBF Cena
IRF7452TRPBF Nabídka
IRF7452TRPBF Nejnižší cena
IRF7452TRPBF Vyhledávání
IRF7452TRPBF Nákup
IRF7452TRPBF Chip