Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7452PBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7452PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48312 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7452PBF
IRF7452PBF Elektronické komponenty
IRF7452PBF Odbyt
IRF7452PBF Dodavatel
IRF7452PBF Distributor
IRF7452PBF Datová tabulka
IRF7452PBF Fotky
IRF7452PBF Cena
IRF7452PBF Nabídka
IRF7452PBF Nejnižší cena
IRF7452PBF Vyhledávání
IRF7452PBF Nákup
IRF7452PBF Chip