Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7450PBF
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7450PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12182 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7450PBF
IRF7450PBF Elektronické komponenty
IRF7450PBF Odbyt
IRF7450PBF Dodavatel
IRF7450PBF Distributor
IRF7450PBF Datová tabulka
IRF7450PBF Fotky
IRF7450PBF Cena
IRF7450PBF Nabídka
IRF7450PBF Nejnižší cena
IRF7450PBF Vyhledávání
IRF7450PBF Nákup
IRF7450PBF Chip