IRF7420TRPBF
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7420TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 11.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3529pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5870 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7420TRPBF
IRF7420TRPBF Elektronické komponenty
IRF7420TRPBF Odbyt
IRF7420TRPBF Dodavatel
IRF7420TRPBF Distributor
IRF7420TRPBF Datová tabulka
IRF7420TRPBF Fotky
IRF7420TRPBF Cena
IRF7420TRPBF Nabídka
IRF7420TRPBF Nejnižší cena
IRF7420TRPBF Vyhledávání
IRF7420TRPBF Nákup
IRF7420TRPBF Chip