Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7416PBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7416PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27678 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7416PBF
IRF7416PBF Elektronické komponenty
IRF7416PBF Odbyt
IRF7416PBF Dodavatel
IRF7416PBF Distributor
IRF7416PBF Datová tabulka
IRF7416PBF Fotky
IRF7416PBF Cena
IRF7416PBF Nabídka
IRF7416PBF Nejnižší cena
IRF7416PBF Vyhledávání
IRF7416PBF Nákup
IRF7416PBF Chip