Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7413PBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7413PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28032 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7413PBF
IRF7413PBF Elektronické komponenty
IRF7413PBF Odbyt
IRF7413PBF Dodavatel
IRF7413PBF Distributor
IRF7413PBF Datová tabulka
IRF7413PBF Fotky
IRF7413PBF Cena
IRF7413PBF Nabídka
IRF7413PBF Nejnižší cena
IRF7413PBF Vyhledávání
IRF7413PBF Nákup
IRF7413PBF Chip