IRF7410GTRPBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7410GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8676pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9224 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7410GTRPBF
IRF7410GTRPBF Elektronické komponenty
IRF7410GTRPBF Odbyt
IRF7410GTRPBF Dodavatel
IRF7410GTRPBF Distributor
IRF7410GTRPBF Datová tabulka
IRF7410GTRPBF Fotky
IRF7410GTRPBF Cena
IRF7410GTRPBF Nabídka
IRF7410GTRPBF Nejnižší cena
IRF7410GTRPBF Vyhledávání
IRF7410GTRPBF Nákup
IRF7410GTRPBF Chip