Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7406PBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7406PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13999 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7406PBF
IRF7406PBF Elektronické komponenty
IRF7406PBF Odbyt
IRF7406PBF Dodavatel
IRF7406PBF Distributor
IRF7406PBF Datová tabulka
IRF7406PBF Fotky
IRF7406PBF Cena
IRF7406PBF Nabídka
IRF7406PBF Nejnižší cena
IRF7406PBF Vyhledávání
IRF7406PBF Nákup
IRF7406PBF Chip