Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7403PBF
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7403PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45373 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7403PBF
IRF7403PBF Elektronické komponenty
IRF7403PBF Odbyt
IRF7403PBF Dodavatel
IRF7403PBF Distributor
IRF7403PBF Datová tabulka
IRF7403PBF Fotky
IRF7403PBF Cena
IRF7403PBF Nabídka
IRF7403PBF Nejnižší cena
IRF7403PBF Vyhledávání
IRF7403PBF Nákup
IRF7403PBF Chip