Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7402TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11138 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7402TRPBF
IRF7402TRPBF Elektronické komponenty
IRF7402TRPBF Odbyt
IRF7402TRPBF Dodavatel
IRF7402TRPBF Distributor
IRF7402TRPBF Datová tabulka
IRF7402TRPBF Fotky
IRF7402TRPBF Cena
IRF7402TRPBF Nabídka
IRF7402TRPBF Nejnižší cena
IRF7402TRPBF Vyhledávání
IRF7402TRPBF Nákup
IRF7402TRPBF Chip