Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7402PBF
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7402PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15644 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7402PBF
IRF7402PBF Elektronické komponenty
IRF7402PBF Odbyt
IRF7402PBF Dodavatel
IRF7402PBF Distributor
IRF7402PBF Datová tabulka
IRF7402PBF Fotky
IRF7402PBF Cena
IRF7402PBF Nabídka
IRF7402PBF Nejnižší cena
IRF7402PBF Vyhledávání
IRF7402PBF Nákup
IRF7402PBF Chip