IRF7401TRPBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7401TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51789 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7401TRPBF
IRF7401TRPBF Elektronické komponenty
IRF7401TRPBF Odbyt
IRF7401TRPBF Dodavatel
IRF7401TRPBF Distributor
IRF7401TRPBF Datová tabulka
IRF7401TRPBF Fotky
IRF7401TRPBF Cena
IRF7401TRPBF Nabídka
IRF7401TRPBF Nejnižší cena
IRF7401TRPBF Vyhledávání
IRF7401TRPBF Nákup
IRF7401TRPBF Chip