Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7401PBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7401PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34491 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7401PBF
IRF7401PBF Elektronické komponenty
IRF7401PBF Odbyt
IRF7401PBF Dodavatel
IRF7401PBF Distributor
IRF7401PBF Datová tabulka
IRF7401PBF Fotky
IRF7401PBF Cena
IRF7401PBF Nabídka
IRF7401PBF Nejnižší cena
IRF7401PBF Vyhledávání
IRF7401PBF Nákup
IRF7401PBF Chip