Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7379TR
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7379TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48978 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7379TR
IRF7379TR Elektronické komponenty
IRF7379TR Odbyt
IRF7379TR Dodavatel
IRF7379TR Distributor
IRF7379TR Datová tabulka
IRF7379TR Fotky
IRF7379TR Cena
IRF7379TR Nabídka
IRF7379TR Nejnižší cena
IRF7379TR Vyhledávání
IRF7379TR Nákup
IRF7379TR Chip