Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7322D1
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7322D1
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
62 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19412 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7322D1
IRF7322D1 Elektronické komponenty
IRF7322D1 Odbyt
IRF7322D1 Dodavatel
IRF7322D1 Distributor
IRF7322D1 Datová tabulka
IRF7322D1 Fotky
IRF7322D1 Cena
IRF7322D1 Nabídka
IRF7322D1 Nejnižší cena
IRF7322D1 Vyhledávání
IRF7322D1 Nákup
IRF7322D1 Chip