Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7233TR
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7233TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16786 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7233TR
IRF7233TR Elektronické komponenty
IRF7233TR Odbyt
IRF7233TR Dodavatel
IRF7233TR Distributor
IRF7233TR Datová tabulka
IRF7233TR Fotky
IRF7233TR Cena
IRF7233TR Nabídka
IRF7233TR Nejnižší cena
IRF7233TR Vyhledávání
IRF7233TR Nákup
IRF7233TR Chip