Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7233PBF
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7233PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25314 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7233PBF
IRF7233PBF Elektronické komponenty
IRF7233PBF Odbyt
IRF7233PBF Dodavatel
IRF7233PBF Distributor
IRF7233PBF Datová tabulka
IRF7233PBF Fotky
IRF7233PBF Cena
IRF7233PBF Nabídka
IRF7233PBF Nejnižší cena
IRF7233PBF Vyhledávání
IRF7233PBF Nákup
IRF7233PBF Chip