Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7210PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7210PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
212nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
17179pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9421 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7210PBF
IRF7210PBF Elektronické komponenty
IRF7210PBF Odbyt
IRF7210PBF Dodavatel
IRF7210PBF Distributor
IRF7210PBF Datová tabulka
IRF7210PBF Fotky
IRF7210PBF Cena
IRF7210PBF Nabídka
IRF7210PBF Nejnižší cena
IRF7210PBF Vyhledávání
IRF7210PBF Nákup
IRF7210PBF Chip