IRF7202TR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7202TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta), 2.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25534 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7202TR
IRF7202TR Elektronické komponenty
IRF7202TR Odbyt
IRF7202TR Dodavatel
IRF7202TR Distributor
IRF7202TR Datová tabulka
IRF7202TR Fotky
IRF7202TR Cena
IRF7202TR Nabídka
IRF7202TR Nejnižší cena
IRF7202TR Vyhledávání
IRF7202TR Nákup
IRF7202TR Chip