Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7201PBF
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7201PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51245 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7201PBF
IRF7201PBF Elektronické komponenty
IRF7201PBF Odbyt
IRF7201PBF Dodavatel
IRF7201PBF Distributor
IRF7201PBF Datová tabulka
IRF7201PBF Fotky
IRF7201PBF Cena
IRF7201PBF Nabídka
IRF7201PBF Nejnižší cena
IRF7201PBF Vyhledávání
IRF7201PBF Nákup
IRF7201PBF Chip