Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6898MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6898MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Ta), 213A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5435pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40112 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6898MTRPBF
IRF6898MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6898MTRPBF Odbyt
IRF6898MTRPBF Dodavatel
IRF6898MTRPBF Distributor
IRF6898MTRPBF Datová tabulka
IRF6898MTRPBF Fotky
IRF6898MTRPBF Cena
IRF6898MTRPBF Nabídka
IRF6898MTRPBF Nejnižší cena
IRF6898MTRPBF Vyhledávání
IRF6898MTRPBF Nákup
IRF6898MTRPBF Chip