Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6893MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A MX
Číslo dílu
IRF6893MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta), 168A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3480pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51450 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6893MTRPBF
IRF6893MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6893MTRPBF Odbyt
IRF6893MTRPBF Dodavatel
IRF6893MTRPBF Distributor
IRF6893MTRPBF Datová tabulka
IRF6893MTRPBF Fotky
IRF6893MTRPBF Cena
IRF6893MTRPBF Nabídka
IRF6893MTRPBF Nejnižší cena
IRF6893MTRPBF Vyhledávání
IRF6893MTRPBF Nákup
IRF6893MTRPBF Chip